PHILLIPTECH高溫石英晶體TAN06HTIA

標準 AT 切割晶體在 100°C 以上就會開始失效，產(chǎn)生噪聲、不穩(wěn)定性和不可靠的膜厚讀數(shù)。PHILLIPTECH的 HT 系列經(jīng)過專門設(shè)計，可在 250°C 至 400°C 的環(huán)境下保持穩(wěn)定、準確的性能，是高溫 QCM 應(yīng)用的理想解決方案。

這些 6.000 MHz AT 切割晶體采用雙錨電極布局（Inficon 風格），并提供金、銀或鋁電極。每個晶體均具有應(yīng)力不敏感、等離子體兼容的特性，并針對熱負荷、反應(yīng)性氣氛和濺射條件下的實時測量進行了優(yōu)化。

• 在高達 400°C 的溫度下穩(wěn)定運行——無頻率漂移或信號擊穿
• 消除快門打開、熱浪或等離子點火引起的速率尖峰
• 應(yīng)力不敏感材料配方，確保薄膜生長應(yīng)變下的耐用性
• 降低高能離子撞擊和薄膜凝聚產(chǎn)生的濺射噪聲
• 兼容硒、硫或金屬氯化物等腐蝕性環(huán)境

電極選項

金 (Au)：化學(xué)惰性且熱穩(wěn)定——適用于原子層沉積 (ALD)、腐蝕性蒸汽工藝和有機薄膜生長

銀 (Ag)：在潔凈真空條件下具有高的Q值——是光學(xué)和介電薄膜加工的理想選擇

鋁 (Al)：適用于高溫濺射和涉及鋁的工藝；與石英具有熱匹配性

所有電極均在受控真空環(huán)境中沉積，并經(jīng)過邊緣質(zhì)量和附著力檢測。

產(chǎn)地：美國

頻率：6.000 MHz ±75 Hz

晶體切割：AT（HT 配方）

電極結(jié)構(gòu)：雙錨式（Inficon 型）

直徑：14 mm

工作溫度范圍：100°C 至 400°C

Q 值：>80,000（典型值）（高溫配置）

應(yīng)力敏感性：熱循環(huán)下很小甚至無應(yīng)力敏感性

包裝規(guī)格：10

重量：0.05 磅

尺寸：0.375 × 0.375 × 0.35 英寸

原子層沉積 (ALD)

化學(xué)氣相沉積 (CVD)

高溫OVPD和PVD

基于爐的工藝（硒化、擴散）

OLED制造

光學(xué)干涉鍍膜

太陽能電池層形成

HT晶體可集成到大多數(shù)商用QCM系統(tǒng)中，但與Colnatec高溫傳感器頭或類似額定硬件搭配使用時性能更好。